【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种具有基底穿孔(through-substrate via，tsv)结构的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、在一些半导体制作工艺中，会先将两个基底上的介电结构行接合，再形成多个基底穿孔结构。每个基底穿孔结构电连接至所对应的着陆垫(landing pad)。多个基底穿孔结构的形成方法可包括以下步骤。首先，形成用以容纳多个基底穿孔结构的多个开口，其中每个开口暴露出所对应的着陆垫。接着，在每个开口中形成所对应的基底穿孔结构。在用以形成多个开口的干式蚀刻制作工艺中，由于位于不同基底上的多个着陆垫位于不同的高度，所以先暴露出的着陆垫暴露在等离子体下的时间较长。
2、然而，由于先暴露出的着陆垫暴露在等离子体下的时间较长，因此容易在先暴露出的着陆垫上积聚危险电压(build-up dangerous voltage)而导致天线效应(antennaeffect)，进而对半导体元件造成损害，且降低产品的良率与可靠度。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述终止层的厚度为所述第一顶盖层的厚度的2倍至5倍。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二介电结构接合于所述第一介电结构。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二元件结构还包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中所述第二着陆垫位于所述第二顶盖层与所述第二基底之间。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述终止层的厚度为所述第一顶盖层的厚度的2倍至5倍。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二介电结构接合于所述第一介电结构。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二元件结构还包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中所述第二着陆垫位于所述第二顶盖层与所述第二基底之间。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其中所述终止层的厚度大于所述第二顶盖层的厚度。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其中所述终止层的厚度为所述第二顶盖层的厚度的2倍至5倍。
11.如权利要求7所述的半导体结构，其中所述第一基底穿孔结构具有突出部，且所述突出部朝向所述第二顶盖层突出。
12.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
13.一种半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：李世平，邱茂兴，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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