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本发明涉及一种氮化镓半导体器件及激光器，该氮化镓半导体器件包括半导体衬底与至少两个电极，电极位于半导体衬底的异侧，半导体衬底包括半绝缘GaN单晶，半绝缘GaN单晶中Fe元素的掺杂浓度为1E17cm<supgt;‑3</supgt...
该专利属于苏州纳维科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州纳维科技有限公司授权不得商用。

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