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本发明公开了一种多忆阻器阵列成像电路结构及使用方法，至少包括若干阵列排布的忆阻成像单元、输出通道地址选择模块和信号放大模块；每个忆阻成像单元包括光敏模块G、忆阻器m1、忆阻器m2和二极管VD；每个光敏模块G的输出端分别连接忆阻器m1和忆阻器...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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