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本发明提供一种集成温度传感器的半导体器件，其包括至少一个元胞。包括正面电极(阴极电极)、背面电极(阳极电极)以及位于两电极之间的半导体单元，包括隔离介质、源区接触、发射区接触、第一基区、发射区栅极结构、第二基区、漂移区、场截止区、集电区、栅...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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