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本发明提供一种3D‑Nor型闪存器件阵列结构的加压操作方法，提供存储阵列，上一层的存储单元的漏端位线和相邻下一层存储单元源端源线共用；存储阵列的编程方法包括：选取一存储单元的一位线接地，另一位线接第一操作电压，其余的位线均接高阻态；该存储单...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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