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本发明属于微纳米器件技术领域，具体涉及一种用于实现3D垂直多层互连的二维半导体互补电路的方法。为了能够在物理上实现3D互补逻辑电路的垂直堆叠，本方法利用二维层状半导体材料特殊的晶体结构，通过范德华力将二维n‑型半导体、二维p‑型半导体、介电...
该专利属于山西大学所有，仅供学习研究参考，未经过山西大学授权不得商用。

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