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本发明提供一种氧化物系半导体MOSFET，具有n型氧化物系半导体层，以及漏电极，源电极，栅电极，介质层。其中所述的氧化物系半导体包括了氧化镓，以氧化镓为例，所述的源电极与n型氧化镓半导体层形成肖特基接触，如此可利用肖特基势垒制备出常关型的氧...
该专利属于广州华瑞升阳投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州华瑞升阳投资有限公司授权不得商用。

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