氧化物系半导体MOSFET制造技术

本发明专利技术提供一种氧化物系半导体MOSFET，具有n型氧化物系半导体层，以及漏电极，源电极，栅电极，介质层。其中所述的氧化物系半导体包括了氧化镓，以氧化镓为例，所述的源电极与n型氧化镓半导体层形成肖特基接触，如此可利用肖特基势垒制备出常关型的氧化镓基MOSFET。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，特别地，涉及氧化物系半导体mosfet。

技术介绍

1、半导体材料经过几十年的发展，从第一代的半导体材料锗和硅，到第二代的半导体材料砷化镓和磷化铟，再到第三代的半导体材料如碳化硅、氮化镓、氮化硼等，以及氧化物半导体材料包括氧化镓、氧化锌、氧化锡等。在氧化物半导体材料中，尤其以氧化镓最为突出。氧化镓的禁带宽度在4.5～4.9ev之间，有着8mv/cm的理论击穿场强，这个性能是si的20多倍，并且也是sic及gan的2倍以上，其bliga优值高达3400左右，这使得氧化镓材料在功率半导体领域的应用中有着很大的功能优势，可以制作出耐压更高，体积更小的功率半导体器件。此外，宽禁带的半导体材料如碳化硅，氮化镓，它们的单晶衬底的制备效率低，而氧化镓单晶衬底可以通过熔体法很容易的获得，具有极大的成本优势。然而，对于氧化镓材料，也存在一些棘手问题，由于氧化镓的能级很深、有效空穴质量大、受主激活能高等问题，使得氧化镓的p型掺杂极其困难，这在一定程度上限制了氧化镓mosfet的发展。

2、目前，已知的氧化镓mosfet器件有如下三种实现方式：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化物系半导体MOSFET，至少包括：n型氧化物系半导体层，以及漏电极、源电极、栅电极，介质层；其特征在于，所述源电极与所述n型氧化物系半导体层的第一表面形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的氧化物系半导体MOSFET，其特征在于，所述氧化物系半导体的禁带宽度在2.0eV～5.5eV之间。

3.根据权利要求2所述，其特征在于，所述的氧化物系半导体是氧化镓。

4.根据权利要求2所述，其特征在于，所述的氧化物系半导体是氧化锡、氧化锌。

5.根据权利要求2所述，其特征在于，所述的氧化物系半导体是氧化镨、氧化铁、氧化亚铜、氧化镉、氧化钴...

【技术特征摘要】

1.一种氧化物系半导体mosfet，至少包括：n型氧化物系半导体层，以及漏电极、源电极、栅电极，介质层；其特征在于，所述源电极与所述n型氧化物系半导体层的第一表面形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述氧化物系半导体的禁带宽度在2.0ev～5.5ev之间。

3.根据权利要求2所述，其特征在于，所述的氧化物系半导体是氧化镓。

4.根据权利要求2所述，其特征在于，所述的氧化物系半导体是氧化锡、氧化锌。

5.根据权利要求2所述，其特征在于，所述的氧化物系半导体是氧化镨、氧化铁、氧化亚铜、氧化镉、氧化钴、氧化钨、氧化钒、氧化铅、氧化铋、氧化锑、氧化钛、氧化锗、氧化铌、氧化铟、氧化铬、氧化锰、氧化铽、氧化钽、氧化碲、氧化钐、氧化钕、氧化镱、氧化锆、氧化镧。

6.根据权利要求1所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述的氧化物系半导体mosfet是横式mosfet。

7.根据权利要求1所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述的氧化物系半导体mosfet是纵式mosfet。

8.根据权利要求1和6所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述的n型氧化物系半导体层至少包含：第一n型氧化物系半导体层，其具有比5x1018cm-3低的电子载流子浓度。

9.根据权利要求1和6所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述的的n型氧化物系半导体层至少包含：第一n型氧化物系半导体层，其具有比1x1018cm-3低的电子载流子浓度。

10.根据权利要求1和7所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述的n型氧化物系半导体层至少包含：第一n型氧化物系半导体层，其具有比5x1018cm-3低的电子载流子浓度。

11.根据权利要求1和7所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述的n型氧化物系半导体层至少包含：第一n型氧化物系半导体层，其具有比1x1018cm-3低的电子载流子浓度。

12.根据权利要求7所述，其特征在于，所述的氧化物系半导体mosfet是纵式平面栅mosfet、纵式沟槽栅mosfet或纵式屏蔽栅mosfet。

13.根据权利要求1和7所述的氧化物系半导体mosfet，其特征在于，所述的氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹向阳，邓云，薛勇，
申请(专利权)人：广州华瑞升阳投资有限公司，
类型：发明
国别省市：