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本发明提供了一种量子比特结构及其制作方法，涉及超导量子技术领域，采用刻蚀工艺来制作超导体，即基于掩膜对超导材料层进行刻蚀的工艺制作第一超导体和第二超导体，该基于掩膜的刻蚀工艺较为成熟，有效提高了量子比特结构的均匀性和良率。本发明提供的制作方...
该专利属于深圳量旋科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳量旋科技有限公司授权不得商用。

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