一种量子比特结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种量子比特结构及其制作方法，涉及超导量子技术领域，采用刻蚀工艺来制作超导体，即基于掩膜对超导材料层进行刻蚀的工艺制作第一超导体和第二超导体，该基于掩膜的刻蚀工艺较为成熟，有效提高了量子比特结构的均匀性和良率。本发明专利技术提供的制作方法无需采用双角度蒸发和剥离工艺，进而无需对相关的制作设备进行特殊设计，适用于大规模量产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及超导量子，更为具体地说，涉及一种量子比特结构及其制作方法。

技术介绍

1、随着超导量子比特平台在实用量子计算机的竞争中朝着越来越大规模的方向发展，因制作工艺不成熟而导致量子比特结构的不均匀性或性能的限制变得日趋明显。特别是，当前最先进的量子比特结构的制作所使用的双角度蒸发和剥离工艺，由于需要在不同角度进行蒸镀工艺，故而所使用的制作设备需要特殊设计，导致不能够实现大规模量产。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种量子比特结构及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，提高了量子比特结构的均匀性和良率，且无需采用双角度蒸发和剥离工艺及其特殊设计的制作设备，适用于大规模量产。

2、为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：

3、一种量子比特结构的制作方法，包括：

4、提供一衬底；

5、在所述衬底一侧表面上形成第一超导材料层；

6、在所述第一超导材料层背离所述衬底一侧形成第一掩膜层；

7、刻蚀所述第一超导材料层，形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量子比特结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一超导材料层之后，且在形成所述第一掩膜层之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，在所述第一超导材料层背离所述衬底一侧表面形成保护层，包括：

4.根据权利要求1所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，在所述第一超导材料层背离所述衬底一侧形成第一掩膜层，包括：

5.根据权利要求1所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，形成覆盖所述第一超导体的裸露表面的势垒层，包括：

6....

【技术特征摘要】

1.一种量子比特结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一超导材料层之后，且在形成所述第一掩膜层之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，在所述第一超导材料层背离所述衬底一侧表面形成保护层，包括：

4.根据权利要求1所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，在所述第一超导材料层背离所述衬底一侧形成第一掩膜层，包括：

5.根据权利要求1所述的量子比特结构的制作方法，其特征在于，形成覆盖所述第一超导体的裸露表面的势垒层，包括：

6...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁潇，张儒辉，孟铁军，项金根，
申请(专利权)人：深圳量旋科技有限公司，
类型：发明
国别省市：