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本发明涉及一种碳化硅及其制备方法、碳化硅陶瓷及半导体器件。该碳化硅的制备方法包括如下制备步骤：在惰性气氛条件下，将硅粉与碳粉采用声共振混合方式进行混合，然后进行压制处理，得到混合料坯体，硅粉的平均粒径为10μm~200μm；将混合料坯体在真...
该专利属于苏州铠欣半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州铠欣半导体科技有限公司授权不得商用。

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