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本发明涉及快闪存储器件及其制造方法。在本发明的一个方面中，快 闪存储器件包括：在半导体衬底中形成的下部具有台阶的沟槽、在半导体 衬底的有源区中形成的隧道绝缘层、在隧道绝缘层上形成的第一导电层、 在沟槽和第一导电层之间间隙填充的隔离层、和在第...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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