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本发明公开了一种基于纳米空气沟道电子器件的逻辑电路及制备方法，涉及纳米空气沟道电子器件技术领域，位于平面沟道区域的功能层设置有平面纳米空气沟道功能结构形成平面型纳米空气沟道电子管；平面纳米空气沟道功能结构中纳米空气沟道下方设置有导电层的结构...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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