【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米空气沟道电子器件，特别是涉及一种基于纳米空气沟道电子器件的逻辑电路以及一种基于纳米空气沟道电子器件的逻辑电路的制备方法。
技术介绍
1、逻辑电路技术是集成电路的基础。随着半导体集成电路的发展，半导体电子器件尺寸、响应速度逐渐逼近其理论极限，现代半导体集成电路不仅面临如何延续甚至突破摩尔定律的瓶颈，同时还面临极端应用领域(如宇航电子系统、核电子系统等)的耐高温、抗辐射可靠性问题。目前，探索新材料新原理半导体纳米电子器件，已逐渐成为解决目前半导体集成电路遇到的尺寸瓶颈和响应速度限制的主要方向。具体包括，基于低维纳米材料的小型化晶体管技术，如利用碳纳米管(cnts)作为沟道的晶体管(cntfet)、利用二维半导体过渡金属硫化物(tmds)作为沟道的晶体管(tmdfets)等。虽然利用纳米材料特征尺寸可以使沟道长度降低至1纳米以下，但纳米材料的晶圆级大面积制备技术和缺陷控制，限制了这类器件面向电路的大规模应用；基于新原理的低功耗晶体管技术，如隧穿效应场效应晶体管(tfet)、等离子体纳电子器件等，虽然有望降低器件功耗、提高响应...
【技术保护点】
1.一种基于纳米空气沟道电子器件的逻辑电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的逻辑电路，其特征在于，所述平面纳米空气沟道功能结构中纳米空气沟道下方未设置有所述导电层的结构形成平面型纳米空气沟道二极管。
3.根据权利要求1所述的逻辑电路，其特征在于，所述立体纳米空气沟道功能结构包括第一类立体纳米空气沟道功能结构，所述第一类立体纳米空气沟道功能结构包括：
4.根据权利要求1所述的逻辑电路，其特征在于，所述立体纳米空气沟道功能结构包括第二类立体纳米空气沟道功能结构，所述第二类立体纳米空气沟道功能结构包括：
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种基于纳米空气沟道电子器件的逻辑电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的逻辑电路，其特征在于，所述平面纳米空气沟道功能结构中纳米空气沟道下方未设置有所述导电层的结构形成平面型纳米空气沟道二极管。
3.根据权利要求1所述的逻辑电路，其特征在于，所述立体纳米空气沟道功能结构包括第一类立体纳米空气沟道功能结构，所述第一类立体纳米空气沟道功能结构包括：
4.根据权利要求1所述的逻辑电路，其特征在于，所述立体纳米空气沟道功能结构包括第二类立体纳米空气沟道功能结构，所述第二类立体纳米空气沟道功能结构包括：
5.根据权利要求1所述的逻...
【专利技术属性】
技术研发人员：李男男，罗毅，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：
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