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本申请公开了一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，至少包括如下有益效果：金属诱导法制备晶化硅薄膜的过程中，首先将铝薄膜沉积在Si(100)衬底表面，通过改变铝沉积时的衬底温度就可以对后续晶化硅薄膜的微观组织加以调控，然后再将非晶硅薄膜沉积...
该专利属于宁夏大学所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏大学授权不得商用。

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