一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法技术

本申请公开了一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，至少包括如下有益效果：金属诱导法制备晶化硅薄膜的过程中，首先将铝薄膜沉积在Si(100)衬底表面，通过改变铝沉积时的衬底温度就可以对后续晶化硅薄膜的微观组织加以调控，然后再将非晶硅薄膜沉积在铝薄膜表面，随后进行管式炉退火，铝与非晶硅之间会发生反应，铝充当了一种催化剂，导致非晶硅薄膜晶化的退火温度降低，可以形成择优取向大于97％以上的晶化硅薄膜，降低了制备单晶硅薄膜的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶化硅薄膜制备应用，尤其涉及一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法。

技术介绍

1、晶化硅薄膜在光伏太阳能电池、光电探测器等领域有着非常重要的应用，高质量的晶化硅薄膜将直接影响器件的输出性能，非晶硅薄膜择优取向结晶生长可以有效降低薄膜中的缺陷(晶界、位错等)，单晶硅薄膜太阳能电池光电转换效率高但结晶技术复杂，成本居高不下。在现有的研究中大多提供了金属诱导制备多晶硅薄膜的方法，也有通过在铝薄膜沉积之后暴露在空气中形成一个界面氧化层(al2o3)之后再沉积非晶硅薄膜，通过控制铝薄膜在空气中的曝光时间来调控al2o3层的厚度进而控制硅原子向铝薄膜的扩散速率，最后形成了择优si(111)取向(>80％)的晶化硅薄膜。

2、但是，现有金属诱导法制备晶化硅薄膜技术当中大多形成的是多晶硅薄膜，而未形成具有择优取向的单晶硅薄膜，虽然有少数可以形成择优si(111)取向，但是也仅有80％，并且将铝薄膜直接在空气中曝光有许多不可控的因素。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种金属诱导影响下制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤2中，所述加热温度为100℃。

3.根据权利要求1所述的金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤1中，所述将Si(100)衬底采用标准RCA方法进行清洗后，还包括：采用氮气将所述Si(100)衬底吹干。

4.根据权利要求1所述的金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤2中，所述金属诱导薄膜采用纯度为99.999％的铝圆台进行蒸镀。

5.根据权利要求1所述的金属诱导影响下制备晶化硅薄...

【技术特征摘要】

1.一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤2中，所述加热温度为100℃。

3.根据权利要求1所述的金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤1中，所述将si(100)衬底采用标准rca方法进行清洗后，还包括：采用氮气将所述si(100)衬底吹干。

4.根据权利要求1所述的金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤2中，所述金属诱导薄膜采用纯度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓波，侯君祎，王宁，杨塔，
申请(专利权)人：宁夏大学，
类型：发明
国别省市：