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本发明提供一种制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件。相变存储器器件可以通过以下步骤来制造：在衬底上形成第一电极以及在该第一电极上形成硫族化物材料。对硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个该硫族化物材料引入等离子...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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