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本申请实施例提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法，该氮化镓器件包括：氮化镓器件包括：外延基片，外延基片包括自下向上连接的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，所述势垒层上设置有栅电极、源电极及漏电极；所述栅电极的下方具有周期分布的栅...
该专利属于中兴通讯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中兴通讯股份有限公司授权不得商用。

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