【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及通信技术与半导体制造领域，具体而言，涉及一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法。
技术介绍
1、目前，学术界提升器件线性度特征的主要思路是从调制器件栅下的载流子速场关系，栅源电容等方面入手。具体的技术方案分别有：采用更厚的势垒层厚度、场板结构调制栅漏沟道电场、渐变铝组分势垒、采用金属-绝缘层-半导体(metal insulatorsemiconductor，简称为mis)结构、双沟道材料、三维鳍型结构的鳍式高电子迁移率晶体管(fin—high electric mobility transistor，简称为fin-hemt)以及基于阈值耦合作用的渐进凹槽栅结构等。但是，针对高频端的通讯系统，这些技术方案或多或少都有其致命缺陷。例如，更厚的势垒厚度会引入较强的漏致势垒降低效应，限制了器件在高频下的使用；场板结构在高频方案下容易引入过多寄生电容，限制器件的高频特性；渐变铝组分材料的生长难度巨大，很难实现大批量低成本生产；mis结构引入新的寄生，影响器件的稳定性；三维鳍型结构的fin-hemt是以牺牲器件输出能力，引入寄生电容，...
【技术保护点】
1.一种氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件包括：外延基片，所述外延基片包括自下向上连接的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，所述势垒层上设置有栅电极、源电极及漏电极；
2.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的氮化镓器件，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化镓器件，其特征在于，
5.一种氮化镓器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述势垒层的下方光刻出周期分布的栅极凹槽之前，所述方法还包括：
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