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一种晶体管的形成方法，包括：提供若干第一衬底器件区和第二衬底器件区；在各第一衬底器件区形成第一晶体管，各第一晶体管包括第一沟槽隔离结构以及第一栅极结构，不同第一沟槽隔离结构的深度值不同；获取各第一沟槽隔离结构对应的第一沟槽深度值；获取各第一...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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