【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种晶体管的形成方法。
技术介绍
1、在集成电路器件中，mos晶体管是最为重要的元器件之一。mos管是一种电压驱动型的器件，多被用作电子开关，以控制电路的导通和断开。
2、在常规的mos晶体管中，源极、漏极、栅极结构是其重要组成部分，在mos晶体管工作时，通过改变栅极结构上的加载电压，在栅极结构和衬底之间形成沟道，从而在源极和漏极之间形成电流，实现mos管的导通。
3、其中，在集成电流高压器件中，高压晶体管被广泛使用。高压晶体管具有漏端耐高压、源端输出小电流的特点，通常作为重要的降压元器件使用。对于高压晶体管而言，其对于输出电流的控制要求较高，如果输入电流较大，会导致其他器件被损坏。
4、然而，在现有技术中，控制高压晶体管电流的难度较大，且调节电流的精确度仍有待提升，从而使器件性能和工艺窗口仍有较大的改善空间。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种晶体管的形成方法，能够更好的控制高压晶体管电流的精度，减小了...
【技术保护点】
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构的尺寸与第二栅极结构的尺寸相同。
3.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一晶体管还包括：位于所述第一衬底器件区内的第一阱区，所述第一阱区的导电类型与衬底的导电类型相同；位于所述第一阱区内的第二阱区，所述第二阱区的导电类型与第一阱区的导电类型不同，所述第一沟槽隔离结构位于所述第二阱区内；所述第二晶体管还包括：位于所述第二衬底器件区内的第三阱区，所述第三阱区的导电类型与衬底的导电类型相同；位于所述第三阱区内的第四阱区...
【技术特征摘要】
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构的尺寸与第二栅极结构的尺寸相同。
3.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一晶体管还包括：位于所述第一衬底器件区内的第一阱区，所述第一阱区的导电类型与衬底的导电类型相同；位于所述第一阱区内的第二阱区，所述第二阱区的导电类型与第一阱区的导电类型不同，所述第一沟槽隔离结构位于所述第二阱区内；所述第二晶体管还包括：位于所述第二衬底器件区内的第三阱区，所述第三阱区的导电类型与衬底的导电类型相同；位于所述第三阱区内的第四阱区，所述第四阱区的导电类型与第三阱区的导电类型不同，所述第二沟槽隔离结构位于所述第四阱区内。
4.如权利要求3所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一阱区内的掺杂离子浓度与第三阱区内的掺杂离子浓度相同；所述第二阱区内的掺杂离子浓度与第四阱区内的掺杂离子浓度相同。
5.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅极氧化层以及第一栅电极；所述第二栅极结构包括第二栅极氧化层以及第二栅电极，所述第一栅极氧化层的厚度与第二栅极氧化层的厚度相同。
6.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽隔离结构的形成方法包括：在所述第一衬底器件区上形成第一刻蚀停止层；刻蚀所述第一刻蚀停止层和第一衬底器件区，在所述第一刻蚀停止层和第一衬底器件区内形成第一沟槽结构；在所述第一沟槽结构内沉积隔离材料层；对所述隔离材料层进行平坦化，去除所述第一刻蚀停止层，直至暴露出第一衬底器件区表面，以形成第一沟槽隔离结构。
7.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽深度值等于位于所述第一刻蚀停止层和第一衬底器件区内的第一沟槽结构的深度。
8.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一饱和电流为第一晶体管的第一源极和第一漏极之间的电流。
9.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：苑振升，马德敬，殷子文，陈琪玲，刘欢，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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