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噪声防护电路，包含设置于半导体基底中的第一Ｎ井区、第一Ｎ＋扩散区域、第一Ｐ＋扩散区域、第二Ｎ＋扩散区域、第二Ｎ井区、第三Ｐ＋扩散区域、以及第四Ｐ＋扩散区域。该第一Ｎ＋扩散区域设置于该第一Ｎ井区内。该第一Ｐ＋扩散区域及该第二Ｎ＋扩散区域，分别...
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