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本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2...
该专利属于日产化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产化学株式会社授权不得商用。

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