包含酸二酐的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于半导体制造中的光刻工艺、特别是最先进(arf、euv、eb等)的光刻工艺的组合物。此外，还涉及应用上述抗蚀剂下层膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、一直以来，在半导体装置的制造中，通过使用抗蚀剂组合物的光刻进行微细加工。上述微细加工是如下加工法，即在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上隔着描绘有器件图案的掩模图案照射紫外线等活性光线，进行显影，将得到的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，由此在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸。近年来，半导体器件的集成度越来越高，所使用的活性光线除了以往使用的i射线(波长365nm)、krf准分子激光(波长248nm)、arf准分子激光(波长193nm)以外，也正在研究最先进的微细加工中euv光(极紫外线，波长13.5nm)或eb(电子束)的实用化。与此相伴，半导体基板对抗蚀剂的影响已成为大的问题。

2、因此，为了解决该问题，已广泛研究了在抗蚀剂与半导体基板之间设置抗蚀剂下层膜的方法。专利文献1中公开了一种抗蚀剂下层膜形成用组本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂；

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述R1含有亚联苯基结构。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物含有下述式(a-2)表示的重复单元；

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物还具有杂环结构。

5.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述Y1为磺酰基。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物的末端被化合物封端。

7.根据权利要求6所述的抗...

【技术特征摘要】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(i)表示的单元结构的聚合物、和溶剂；

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述r1含有亚联苯基结构。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物含有下述式(a-2)表示的重复单元；

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物还具有杂环结构。

5.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述y1为磺酰基。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物的末端被化合物封端。

7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤祐希，广原知忠，田村护，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：