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本发明公开了一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极；在所述半导体衬底上，采用远程氧等离子反应溅射沉积金属氧化物，形成位于所述半导体衬底上的电阻转变层；在所述电阻转变层上形成上电极；图形...
该专利属于上海微阱电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微阱电子科技有限公司授权不得商用。

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