一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器技术

本发明专利技术公开了一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极；在所述半导体衬底上，采用远程氧等离子反应溅射沉积金属氧化物，形成位于所述半导体衬底上的电阻转变层；在所述电阻转变层上形成上电极；图形化上电极和电阻转变层，形成阻变存储器件。该方法因采用远程等离体实现氧化金属靶材表面，但不会氧化衬底中下电极金属表面，可以避免下电极金属被氧化，提高工艺的可靠性，有利于提升阻变存储器性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造，尤其涉及一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器。

技术介绍

1、目前，存储器技术是半导体集成电路的重要组成部分。随着摩尔定律不断发展，中央处理器(centralprocessingunit，cpu)的工作频率不断提升，对存储器的性能要求也越来越高，主流的传统存储器已经很难满足性能要求。“存储墙”问题越来越突出，因此各种新型的存储器技术应运而生。

2、目前主要的新型存储器包括阻变存储器、磁存储器、相变存储器、铁电存储器等。在前沿研究中这些新型的存储器已经被证明具有更优异的特性，具有很好的应用前景。这些新型存储器中，除英特尔/镁光已经量产相变存储器外，其他的各类新型存储器都还未得到大规模的应用。新型存储器要能实现大规模生产，除了需要比现有主流存储器更好的性价比之外，其稳定可靠的生产工艺是至关重要的。

3、以阻变存储器为例，虽然存储器本身结构非常简单，但如何可控地制备是存储器大生产应用的关键所在。在现有技术中，采用反应溅射制备金属氧化物作为阻变层材料，氧气和氩气混合物被通入工艺腔并形成混合等离子体，将靶材表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S01中下电极为铜、铝、钨、钛、钽、氮化钛或氮化钽中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S02中远程等离子反应溅射包括：将远程氧等离子体通入反应溅射腔体，采用远程氧等离子体氧化金属靶材，使得靶材表面形成金属氧化物；采用氩等离子体轰击靶材表面的金属氧化物，使金属氧化物沉积至半导体衬底表面。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，远程氧等离子体从金属靶材端通入反应溅射腔体，金属靶材表面被氧化成金属氧化物，且远程氧等...

【技术特征摘要】

1.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤s01中下电极为铜、铝、钨、钛、钽、氮化钛或氮化钽中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤s02中远程等离子反应溅射包括：将远程氧等离子体通入反应溅射腔体，采用远程氧等离子体氧化金属靶材，使得靶材表面形成金属氧化物；采用氩等离子体轰击靶材表面的金属氧化物，使金属氧化物沉积至半导体衬底表面。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，远程氧等离子体从金属靶材端通入反应溅射腔体，金属靶材表面被氧化成金属氧化物，且远程氧等离子体不氧化下电极金属。

5.根据权利要求3所述的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：左青云，卢意飞，
申请(专利权)人：上海微阱电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：