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本技术公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体、图形化的P型半导体和量子阱。该基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体，其特征在于：所述N型半导体上设有量子阱，量子阱上连接有小于特定...
该专利属于盐城师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过盐城师范学院授权不得商用。

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