一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件制造技术

本技术公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体、图形化的P型半导体和量子阱。该基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体，其特征在于：所述N型半导体上设有量子阱，量子阱上连接有小于特定载流子浓度半导体或绝缘图形化结构，量子阱的上方设有与其相适配的图形化的P型半导体，能够增加LED器件中的P型载流子浓度，增加复合效率，带有小于特定载流子浓度半导体或绝缘图形化结构的量子阱能够降低表面辐射复合，减少量子阱内部光源的全反射，降低电热损失，提高电光转换效率，提高出光效率。此种方法能兼容现有的LED芯片或灯珠的工艺方法，该方法简单可靠，具有极大的应用市场。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体是一种基于结构增压提高p型半导体载流子浓度的led器件。

技术介绍

1、目前普通led，尤其是gan基的led器件的p型半导体的载流子浓度过低，n型半导体载流子浓度远远大于p型半导体的载流子浓度，这样导致p型和n型载流子浓度在量子阱复合的时候，存在电子过剩的现象，导致电子在p型半导体内形成漏电电流，降低led的电光转换效率，目前解决的方案是通过电子阻挡层来解决电子载流子的过剩问题。但是目前的插入层由于阻挡电子，跟目前p型半导体的材料不同，两种材料的晶格常数和热膨胀系数存在比较大的差异，这样容易在这两者的界面形成缺陷，或者在led的频繁的开关，温度的急剧变化后容易产生热适配，也容易生成更多的缺陷，这些缺陷会增加非辐射复合，会在一定程度上降低led的出光效率，会降低一部分电子阻挡层带来的正面效果，会降低led的可靠性；此外电子阻挡层对于不同电流下的电子的阻挡层存在阻挡效果不一致的情况，所以对于电流大小差别比较大的情况下阻挡效果一致性不是很好。

2、此外随着显示的快速发展，led朝着mini/micro-led方向发展，随着le本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于结构增压提高图形化的P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体(3)，其特征在于：所述N型半导体(3)上设有量子阱(1)，量子阱(1)包括绝缘图形化结构(8)，量子阱(1)的上方的P型半导体(2)包含与其相适配的图形化结构。

2.根据权利要求1所述的一种基于结构增压提高图形化的P型半导体载流子浓度的LED器件，其特征在于：所述量子阱(1)包括有多个绝缘图形化互不连通的量子阱分区，或包括有绝缘图形化结构(8)的量子阱分区。

3.根据权利要求1所述的一种基于结构增压提高图形化的P型半导体载流子浓度的LED器件，其特征在于：所述P型半导体(2)包括有多...

【技术特征摘要】

1.一种基于结构增压提高图形化的p型半导体载流子浓度的led器件，包括n型半导体(3)，其特征在于：所述n型半导体(3)上设有量子阱(1)，量子阱(1)包括绝缘图形化结构(8)，量子阱(1)的上方的p型半导体(2)包含与其相适配的图形化结构。

2.根据权利要求1所述的一种基于结构增压提高图形化的p型半导体载流子浓度的led器件，其特征在于：所述量子阱(1)包括有多个绝缘图形化互不连通的量子阱分区，或包括有绝缘图形化结构(8)的量子阱分区。

3.根据权利要求1所述的一种基于结构增压提高图形化的p型半导体载流子浓度的led器件，其特征在于：所述p型半导体(2)包括有多个绝缘图形化互不连通的半导体分区，或包括有绝缘图形化结构(8)的半导体分区。

4.根据权利要求1所述的一种基于结构增压提高图形化的p型半导体载流子浓度的led器件，其特征在于：所述量子阱(1)包括有多个绝缘图形化互不连通的量子阱分区，或包括有绝缘图形化结构(8)的量子阱分区；此处所述分区为环形，或者扇形，或者多边形，或者自由图形分区。

5.根据权利要求1所述的一种基于结构增压提高图形化的p型半导体载流子浓度的led器件，其特征在于：图形化的所述p型半导体(2)外侧为绝缘的。

【专利技术属性】
技术研发人员：魏伟，
申请(专利权)人：盐城师范学院，
类型：新型
国别省市：