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本发明提供一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法，包括以下步骤：提供一基底；依次形成下电极层、势垒层及上电极层于基底上，势垒层覆盖下电极层，上电极层覆盖势垒层；形成光刻胶层于上电极层的表面并图形化光刻胶层；基于图形化后的光刻胶层刻蚀上电极...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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