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本发明提供了一种碳化硅外延片的生长工艺。此碳化硅外延片的生长工艺包括依次的如下步骤：(I)将碳化硅衬底进行前处理；(II)采用分子束外延设备于所述碳化硅衬底上形成第一碳化硅缓冲层；(III)置于化学气相沉积设备的外延炉中，先于1000～14...
该专利属于广东天域半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东天域半导体股份有限公司授权不得商用。

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