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基于TiO2调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池及其制备方法技术
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文档序号:41874643
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基于TiO<subgt;2</subgt;调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池及其制备方法,本发明旨在解决金刚石肖特基结同位素电池无法进一步提升电池开路电压的问题。本发明高内建电场同位素电池采用垂直型结构,...
该专利属于哈尔滨工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。
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