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本发明公开一种SiC涂层石墨基座的制备装置及制备方法，制备装置包括炉体、坩埚组件、压具和加热体，炉体侧壁限定出测温通道；坩埚组件包括环形坩埚、上石墨板和下石墨板，上石墨板和下石墨板卡装在环形坩埚内侧的顶部和底部；环形坩埚侧壁限定出测温孔，测...
该专利属于中国矿业大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国矿业大学授权不得商用。

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