SiC涂层石墨基座的制备装置及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种SiC涂层石墨基座的制备装置及制备方法，制备装置包括炉体、坩埚组件、压具和加热体，炉体侧壁限定出测温通道；坩埚组件包括环形坩埚、上石墨板和下石墨板，上石墨板和下石墨板卡装在环形坩埚内侧的顶部和底部；环形坩埚侧壁限定出测温孔，测温孔与测温通道同轴设置；环形坩埚、上石墨板和下石墨板共同限定出反应空间，反应空间的内壁贴有石墨纸，反应空间用于放置石墨基座及反应物料；压具安装在炉体内部，用于承载和向坩埚组件施压；加热体设置在炉体内。通过本发明专利技术制备的SiC涂层石墨基座，能够提高石墨基座的抗腐蚀性、抗氧化性性、抗热震性，同时，该石墨基座涂层不易开裂且使用寿命长、成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种sic涂层石墨基座的制备装置及制备方法。

技术介绍

1、相关技术中指出，外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合成外延片。高质量外延片核心生长参数主要控制各种位错密度。由于期间制造的基础是在外延片上进行，因此，外延的质量对器件的性能影响是非常巨大的。

2、现阶段，外延层的制备方法主要是利用vcd法，通过调整沉积工艺，在较高的生长温度下载在衬底片表面的进行外延沉积。

3、在cvd沉积过程中，晶片是不能放置在金属托盘或某个简单的基座上进行外延的，原因是：外延沉积过程中，气流的流速、流向及气氛环境中的颗粒均是影响外延沉积质量的因素，因此，晶圆片的支撑载台必须具有优异的高温稳定性及耐腐蚀性。

4、目前，广泛应用于晶圆外延设备中衬底片载台的材料是石墨基座。因为石墨具有优异的比强度、热导率及高温稳定性，决定了其成为外延沉积中的核心零部件，但是在外延过程中，石墨会因为非稳态气体的腐蚀性产生掉粉、脱落。一方面，石墨底座的腐蚀会增加外延成本，石墨基座的更换浪费巨大；另本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC涂层石墨基座的制备装置，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的一种SiC涂层石墨基座的制备装置，其特征在于，所述坩埚组件还包括上压盖和下压盖，上压盖盖在上石墨板上表面，所述下压盖盖在下石墨板下表面。

3.根据权利要求2所述的一种SiC涂层石墨基座的制备装置，其特征在于，所述环形坩埚顶壁具有第一斜面，所述第一斜面与所述环形坩埚的侧壁延长面夹角为α，所述环形坩埚底壁具有第二斜面，所述第二斜面与所述环形坩埚的侧壁延长面夹角为β。

4.一种使用权利要求2或3所述的SiC涂层石墨基座的制备装置制备SiC涂层石墨基座的方法，其特征在于，包括装料工...

【技术特征摘要】

1.一种sic涂层石墨基座的制备装置，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的一种sic涂层石墨基座的制备装置，其特征在于，所述坩埚组件还包括上压盖和下压盖，上压盖盖在上石墨板上表面，所述下压盖盖在下石墨板下表面。

3.根据权利要求2所述的一种sic涂层石墨基座的制备装置，其特征在于，所述环形坩埚顶壁具有第一斜面，所述第一斜面与所述环形坩埚的侧壁延长面夹角为α，所述环形坩埚底壁具有第二斜面，所述第二斜面与所述环形坩埚的侧壁延长面夹角为β。

4.一种使用权利要求2或3所述的sic涂层石墨基座的制备装置制备sic涂层石墨基座的方法，其特征在于，包括装料工艺和热压烧结工艺，其中，所述装料工艺包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种sic涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述混合粉一由高纯si粉、高纯c粉、高纯sic粉、高纯sio2粉末按2：1：1：6的质量配比均匀混合在一起制得；

6.根据权利要求5所述的一种sic涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗双柱，
申请(专利权)人：中国矿业大学，
类型：发明
国别省市：