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本发明公开了一种具有场拓展阴极结构的SJ‑MPS器件。本发明在传统的SJ‑MPS器件阴极引入RFC结构，导通状态下，低电流密度时，电流主要由肖特基部分组成，由于肖特基势垒低于PN结势垒，正向压降较小，高电流密度时，电流主要由PiN部分组成，...
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