一种具有场拓展阴极结构的SJ-MPS器件制造技术

本发明专利技术公开了一种具有场拓展阴极结构的SJ‑MPS器件。本发明专利技术在传统的SJ‑MPS器件阴极引入RFC结构，导通状态下，低电流密度时，电流主要由肖特基部分组成，由于肖特基势垒低于PN结势垒，正向压降较小，高电流密度时，电流主要由PiN部分组成，由于P+阳极注入效率高，正向压降远低于肖特基二极管；阻断状态下，P+阳极与漂移区形成空间电荷区，屏蔽了肖特基势垒，漏电流较小，与PiN结构相当；在反向恢复时，SJ的横向耗尽加快了器件的反向恢复速度，RFC结构在反向恢复的电流下降阶段向漂移区注入空穴，避免了电流的急剧下降，终端区阴极由P+组成，在正向导通时存储的载流子远低于N+阴极，所以在反向恢复时终端区需要抽取的载流子很少，提高终端区的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体技术，具体专利技术了一种具有场拓展阴极结构(relaxedfield of cathode，rfc)的sj-mps(super junction merged pin schottky diode)器件。

技术介绍

1、快恢复二极管(fast recovery diode，frd)作为最基本的功率半导体器件，通常与绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)反并联以形成续流通路，在电路中起着至关重要的作用。frd主要围绕着其漂移区和阳极结构的优化发展，漂移区优化主要包括漂移区阶梯掺杂技术，载流子寿命控制技术，氢注入技术，阳极结构的优化包括发射极控制(emitter controlled,emcon)技术，发射极注入效率自调整二极管(self-adjusting p emitter efficiency diode,speed)技术，注入效率逆增长二极管(inverse injection dependency of emitter efficiency,idee)技术。这些技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有场拓展阴极结构的SJ-MPS器件，其特征在于，包括阴极欧姆接触金属(1)、N+阴极(2)、P+阴极(3)、N型缓冲层(4)、第一导电类型漂移区(5)、第二导电类型漂移区(6)、P+阳极(7)、JTE终端(8)、N+场截止环(9)、肖特基接触金属(10)、阳极欧姆接触金属(11)和绝缘介质层(12)；所述N+阴极(2)和P+阴极(3)位于阴极欧姆接触金属(1)的上表面，N+阴极(2)和P+阴极(3)构成拓展阴极结构，具体构成方法为：在器件元胞区N+阴极(2)和P+阴极(3)按周期交替排列，在器件终端区仅有P+阴极(3)；所述N型缓冲层(4)位于N+阴极(2)和P+阴极(3)的上...

【技术特征摘要】

1.一种具有场拓展阴极结构的sj-mps器件，其特征在于，包括阴极欧姆接触金属(1)、n+阴极(2)、p+阴极(3)、n型缓冲层(4)、第一导电类型漂移区(5)、第二导电类型漂移区(6)、p+阳极(7)、jte终端(8)、n+场截止环(9)、肖特基接触金属(10)、阳极欧姆接触金属(11)和绝缘介质层(12)；所述n+阴极(2)和p+阴极(3)位于阴极欧姆接触金属(1)的上表面，n+阴极(2)和p+阴极(3)构成拓展阴极结构，具体构成方法为：在器件元胞区n+阴极(2)和p+阴极(3)按周期交替排列，在器件终端区仅有p+阴极(3)；所述n型缓冲层(4)位于n+阴极(2)和p+阴极(3)的上表面，所述第一导电类型漂移区(5)位于所述n型缓冲层(4)上表面；所述p+阳极(7)位于所述第一导电类型漂移区(5)的元胞区上层，呈有间隔的周期排列，所述阳极欧姆接触金属(11)位于p+阳极(7)的上表面且与p+阳极(7)沿器件垂直方向对齐，在呈间断分布的阳极欧姆接触金属(11)之间的第一导电类型漂移区(...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶约汉，
申请(专利权)人：成都格胜智芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：