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本发明提供了一种AlN模板及其制备方法。本发明的AlN模板的制备方法，通过采用MOCVD法制备得到碳杂质含量更高的第二AlN层，其中的碳杂质会占据更多的铝空位(V<subgt;Al</subgt;)，并形成碳占V<subg...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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