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本发明涉及存储装置、微电子部件以及用于制造存储装置的方法，该存储装置(100)包括与选择晶体管串联地电连接的至少一个存储堆叠部(158)，选择晶体管包括：‑半导体层(120)，半导体层的第一区(122)被叠置并形成沟道；‑静电控制栅极(11...
该专利属于原子能和替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能和替代能源委员会授权不得商用。

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