温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种自对准形成齐纳二极管的方法，包括如下步骤：第１步，在硅衬底上生长一层氧化硅；第２步，采用离子注入工艺向硅衬底注入Ｐ型杂质，形成Ｐ阱；第３步，在硅片表面淀积一层多晶硅，再刻蚀该层多晶硅形成多晶硅残留；第４步，采用离子注入工艺在...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。