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本发明提供一种寄生电容测试结构及寄生电容提取方法，所述寄生电容测试结构用于对目标测试器件进行测试，其包括：衬底、第一阱区、第二阱区、测试焊盘及互连线，所述第一阱区及所述第二阱区相邻设置，并形成于所述衬底的表层，且所述第一阱区与所述第二阱区内...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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