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本申请提供了一种高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法，涉及半导体技术领域。该器件自上到下依次包括：N电极、至少一个环状外延结构、P电极、金属键合层和导电衬底。环状外延结构自上到下依次包括：N型AlGaN层、深紫外多量子阱层、电子阻挡层、...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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