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本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种自对准的垂直式半导体存储器器件，它包括一个源极、一个漏极、一层电荷捕获层、一个控制栅极、以及一个衬底，所述电荷捕获层用于存储电荷，该电荷捕获层包括第一介质层，第二介质层，第三介质层和导电栅极，其中第二...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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