温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及芯片测量技术领域,具体涉及一种高低温循环的芯片测试方法,该方法包括:获取芯片工作的电流时序数据,拟合获取电流数据拟合波形;设置时间窗口,对时间窗口的电流数据拟合波形的趋势变化周期特征进行分析,构建波形脉冲宽度凌乱系数;对时间窗口的...该专利属于北京七星华创微电子有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京七星华创微电子有限责任公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及芯片测量技术领域,具体涉及一种高低温循环的芯片测试方法,该方法包括:获取芯片工作的电流时序数据,拟合获取电流数据拟合波形;设置时间窗口,对时间窗口的电流数据拟合波形的趋势变化周期特征进行分析,构建波形脉冲宽度凌乱系数;对时间窗口的...