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本公开实施例涉及一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供键合晶圆，键合晶圆包括键合在一起的承载晶圆和器件晶圆；于键合晶圆的背面形成应力缓冲层；翻转键合晶圆之后，对键合晶圆的正面进行减薄处理；于键合晶圆的正面形成金属层；其中，键合晶圆的...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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