【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、背面照射晶圆（back side illumination wafer，bsi wafer）是承载晶圆（carrier wafer）和器件晶圆（device wafer）经键合工艺得到的键合晶圆，在bsi晶圆中器件晶圆的表面形成金属层后，键合晶圆会出现严重的翘曲，影响后续的光刻工艺。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，可以优化键合晶圆的平整度，降低键合晶圆的翘曲度，消除翘曲对工艺制程的影响。
2、一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供键合晶圆，所述键合晶圆包括键合在一起的承载晶圆和器件晶圆；
4、于所述键合晶圆的背面形成应力缓冲层；
5、翻转所述键合晶圆之后，对所述键合晶圆的正面进行减薄处理；
6、于所述键合晶圆的正面形成金属层；
7、其中，所述键合晶圆的背面为所述承载晶圆背离所述器件晶圆的表面，所述键合晶圆...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述键合晶圆的背面形成应力缓冲层之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述产品翘曲度包括所述键合晶圆和所述金属层作为整体在平行于所述键合晶圆的平面内的第一方向上的第一产品翘曲度，所述于所述键合晶圆的背面形成应力缓冲层的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述键合晶圆的背面形成包括多个第一应力缓冲图形的第一应力缓冲层的步骤包括：
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述键合晶圆的背面形成应力缓冲层之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述产品翘曲度包括所述键合晶圆和所述金属层作为整体在平行于所述键合晶圆的平面内的第一方向上的第一产品翘曲度，所述于所述键合晶圆的背面形成应力缓冲层的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述键合晶圆的背面形成包括多个第一应力缓冲图形的第一应力缓冲层的步骤包括：
5.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述键合晶圆的背面形成包括多个第一应力缓冲图形的第一应力缓冲层的步骤包括：
6.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述产...
【专利技术属性】
技术研发人员：周成，王厚有，杨军，杨昱霖，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。