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本发明提供具有硅－氧化铝－氮化物－氧化物－半导体（ＳＡＮＯＳ）存储单元结构的半导体器件。所述器件包括具有表面、在该表面中的源极区和漏极区的硅衬底。该漏极区和源极区彼此分离。该器件还包括在所述表面上和源极区与漏极区之间的限制的介电结构。该限制...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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