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本发明涉及利用锗预非晶处理来形成Ｐ－型轻度掺杂的漏极区的方法。一种形成具有超浅轻度掺杂的扩散区的ＭＯＳ器件的方法。该方法包括提供具有表面区域的半导体衬底，提供覆盖表面区域的栅极介电层并形成覆盖栅极介电层一部分的栅极，利用栅极结构作为掩模，用...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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