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本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，应用于半导体制造技术领域。在本发明中，通过在凹槽的下部空间露出部分屏蔽材料层后，先对该露出的屏蔽材料层进行进一步的回刻去除，以消除沿垂直方向突出的屏蔽栅材料层，之后再对其剩余的屏蔽栅材料层进行离子注入...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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