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本发明提供一种斜面蚀刻方法及其设备，下电极主体与第一边缘电极、第二边缘电极形成射频回路，用于将反应气体在邻近晶圆边缘的空间内解离形成等离子体，来对晶圆的边缘区域进行斜面蚀刻；上电极主体的底面与晶圆的顶面之间设置有第一间隔距离；斜面蚀刻设备的...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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