一种斜面蚀刻方法及其设备技术

本发明专利技术提供一种斜面蚀刻方法及其设备，下电极主体与第一边缘电极、第二边缘电极形成射频回路，用于将反应气体在邻近晶圆边缘的空间内解离形成等离子体，来对晶圆的边缘区域进行斜面蚀刻；上电极主体的底面与晶圆的顶面之间设置有第一间隔距离；斜面蚀刻设备的控制器，用于根据第一间隔距离来控制第二射频信号施加到上电极主体的电压，从而在晶圆的中心区域上方形成等离子体隔离区。本发明专利技术通过控制上电极主体的电压，可以更灵活、更方便地对等离子体间隔层进行控制，有效减少或避免部件的机械移动，获得更均匀的斜面蚀刻效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种斜面蚀刻方法及其设备。

技术介绍

1、使用等离子体对晶圆进行蚀刻或沉积等工艺处理，可以在晶圆上加工出图案化的微电子层。通常在晶圆边缘附近的等离子体密度较低，这导致多晶硅层、氮化物层、金属层等多余膜层，容易堆积在晶圆边缘(斜面边缘)的顶面或底面，并可能发生破裂或剥落，对等离子体处理设备内部造成污染，或者在晶圆运输过程中掉落到其他晶圆上，污染其他晶圆，影响成品率。

2、通过斜面蚀刻工艺(bevel etch)，可以将晶圆边缘堆积的多余膜层通过等离子体蚀刻去除；期间，为了保护形成在中心区域的芯片(die)，将斜面蚀刻用的等离子体约束在晶圆的边缘附近，避免其形成在晶圆中心区域的上方。如图1、图2所示，现有的斜面蚀刻设备中，包含反应腔室1，位于腔体底部的基座2由射频功率源供电，腔体顶部的绝缘板3与基座2相对，两者之间配置有适当的间隔，并且形成一个等离子体隔离区(pez，plasmaexclusion zone)，其中不产生等离子体，晶圆的中心区域即位于该等离子体隔离区内；接地的第一边缘电极4和第二边缘电极5，分别围绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种斜面蚀刻设备，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

3.如权利要求2所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任意一项所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

5.如权利要求2或3所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

6.如权利要求2或3所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

7.如权利要求1所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

8.如权利要求1所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

9.如权利要求8所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

10.如权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种斜面蚀刻设备，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

3.如权利要求2所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任意一项所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

5.如权利要求2或3所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

6.如权利要求2或3所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

7.如权利要求1所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

8.如权利要求1所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

9.如权利要求8所述的斜面蚀刻设备，其特征在于，

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，叶如彬，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：