温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供用于蚀刻微电子装置衬底上的含钼膜的组合物和方法。使微电子装置衬底与本发明的组合物接触达足以至少部分地移除所述含钼膜的时间。所述组合物包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种阳离子表面活性剂，且具有约7.5到约13的pH。所述蚀刻剂组...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。